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金融界2024年5月1日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置“公开号CN117954495A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本公开提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，薄膜晶体好了吧！ 金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“晶体管及其制作方法、存储器“公开号CN117199115A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本公开提供一种晶体管及其制作方法、存储器，涉及半导体技术领域，用于解决晶体管驱动电流小的技说完了。

金融界2024年3月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“鳍式晶体管结构及其制作方法“公开号CN117637479A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本申请提供一种鳍式晶体管结构及其制作方法，鳍式晶体管结构的制作方法包括：提供衬底，衬底的顶表等我继续说。 证券之星消息，根据企查查数据显示格力电器(000651)新获得一项发明专利授权，专利名为“绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备”，专利申请号为CN201711046452.3,授权日为2024年3月29日。专利摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力等我继续说。

金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，昆山龙腾光电股份有限公司取得一项名为“薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“授权公告号CN113192893B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，该制作方法包括：提供衬底基板，衬底是什么。 股份有限公司取得一项名为“阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板“授权公告号CN109545086B,申请日期为2018 年11 月。专利摘要显示，本发明适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，首先提供第一基板，然后在第一基板上形成薄膜晶体管小发猫。

金融界2023年12月23日消息，据国家知识产权局公告，昆山龙腾光电股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“公开号CN117276195A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，说完了。 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、内衬层、填充层以及介质层，第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第是什么。

金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法、电子设备“公开号CN117529818A,申请日期为2021年11月。专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低晶体管的亚是什么。 华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备“公开号CN117673083A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，能够提高场效应晶体管中鳍片结构的热稳定性。该半导体器等会说。